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HS-NCS-200非接觸厚度電阻率測試儀

一、測試原理

1、電阻率測試探頭原理電阻率測試模塊是由一對共軸渦流傳感器，以及后續的處理電路組成。將半導體硅片置于兩個探頭的間隙中時，在電磁場的作用下，半導體硅片中會產生渦流效應，通過檢測渦流效應的大小，可以換算出該硅片的電阻率和方塊電阻。本方法是一種非接觸無損測量的方法，不損傷材料表面，可以在大多數場合有效替代四探針法測試電阻率以及方塊電阻。

2、厚度測試探頭原理厚度探頭采用的是一對共軸電容位移傳感器。電容傳感器具有重復性好，測試數值穩定，技術成熟等優點，廣泛用于各種材料厚度的測試。

二、適用范圍

本設備為非接觸無損測量設備，測試過程中對硅片表面以及內部不會造成損傷。特別適用于代替四探針法用于半導體硅片成品分選檢驗。一臺儀器可以同時對厚度和電阻率兩個指標進行測試分選，減少了測試工序和測試時間，提高了測試效率。典型的客戶：科研單位、硅片生產廠商、半導體器件生產廠商、光伏企業、導電薄膜研發生產企業。

三、儀器構成

1、測試主機：1臺 2、電源線：1根 3、串口數據線：1根 4、電腦端軟件：1套 5、塑料定位柱：2個

四、儀器外觀尺寸結構及圖片

1、整機尺寸：340*260*180mm

2、機箱顏色：電腦白

3、儀器結構：本儀器采用厚度探頭和電阻率探頭前后并列安裝的方式。

儀器外觀圖片（不同批次外觀有細微區別）

五、儀器主要指標

1、電氣規格 a．使用標準三插頭，由220V交流電供電，整機功耗小于15瓦。 b．本儀器測試平臺和外殼均為金屬材料，按照安全規范，請確保電源地線正確連接。

2、測試范圍測試樣品要求：厚度小于600um的半導體硅片以及其他類似材料。(為客戶提供特殊定制，厚度最大的測試范圍可以擴展到800um) 電阻率范圍： L檔： 0.2-5 Ω·cm H檔： 5-50 Ω·cm 注：電阻率不在上述量程范圍內的可以按要求調整，調整的范圍可以在0.001-100Ω*cm。厚度范圍： 100-600 um （定制版可以做到 300-800um）注：普通版本厚度大于700um的硅片無法放入測試區域。

3、電阻率測試精度（在正確校準，23攝氏度環境中預熱2小時的情況下測定）范圍(單位) 重復度測量誤差（正確校準情況下） 0.2-5 Ω*cm <1% <5% 5-50 Ω*cm <2% <5% 注：該數據為500um左右厚度硅片中心電阻率測試結果。

4、厚度測試精度(在正確校準，23攝氏度環境中預熱2小時的情況下測定) 范圍(單位) 重復度測量誤差（正確校準情況下） 100-600 um <+-1um <+-1um

六、安裝說明

1、軟硬件要求自備帶有串口（DB9接口）的筆記本或者臺式電腦，屏幕分辨率不低于1024*1280.預裝XP系統以及EXCEL 2003辦公軟件（本公司不提供XP系統以及OFFICE軟件）。

2、儀器安裝和環境要求

a、推薦測試條件為23±2℃，相對濕度小于70%，測試環境推薦使用空調等調溫設備，保持室內溫濕度的穩定。

b、放置在水平堅固的桌面上，避免傾側或者震動。

c、勿靠近熱源，強的電磁場或者出風口。特別提醒：移動電話等無線通訊設備工作過程中會產生電磁脈沖，干擾測試結果。測試時請與設備保持1m以上的距離。

d、環境需要一定的清潔度 e、勿堵塞儀器底面和后面板的風扇散熱口。 f、DB9數據線和電源線按照要求接好。

八、儀器使用簡介（詳細的信息請參考使用說明書）

1 開機預熱打開儀器后面板開關，散熱風扇開始工作，打開軟件。預熱30分鐘，使得儀器跟環境之間溫度達到平衡再開始校準和測試。本儀器工作功率15w以內，可以長時間連續開機，推薦工作時間內不需要關機。

2 厚度校準厚度校準采用2片硅片校準。校準硅片的值可以取200um左右和600um左右的經過標定的硅片各一片。其中測試3寸片的時候需要用三寸的樣片校準，4寸及以上使用4寸片校準。使用過程中，由于環境溫度和濕度的變化，厚度測試值可能會出現漂移。請隔2-3小時用校準硅片點檢一次，出現漂移請重新校準。

3.電阻率校準電阻率校準采用的也是2片硅片校準。校準硅片可以選取500um左右厚度的硅片，一般要求被測試片的值在兩片校準樣片測試值之間。與厚度測試類似，由于環境溫度的變化，電阻率測試值可能會出現漂移。請隔2-3小時用校準硅片點檢一次，出現漂移的話請重新校準。

4.測試臺面清潔測試臺面使用的是鋁氧化層，具有耐磨和光滑的特點，勿使用硬物敲或者鋒利的刀片劃，否則可能損壞表面，影響使用。日常清潔可以使用布沾酒精輕輕擦拭。清潔表面之后，請過10-20分鐘，等酒精和水分完全揮發之后，再進行測試。否則水蒸氣或者酒精蒸汽可能會影響測試結果。